Ddr3l и ddr3 — разница между типами оперативной памяти

В чем разница в типах оперативной памяти ddr3 и ddr3l

Ddr3l и ddr3 — разница между типами оперативной памяти

Оперативное запоминающее устройство, или ОЗУ, — это микросхемы для оперативного или временного хранения информации. Информация в ОЗУ сохраняется, пока на микросхему подается питание. При отключении питания информация теряется. Введи здесь текст

В англоязычной технической литературе такие устройства называют RAM — Random Access Memory, или памятью произвольного доступа.

  • Статические и динамические ОЗУ
  • Типы динамических ОЗУ
  • Обзор оперативной памяти DDR3
  • Характеристики DDR3
  • Снижение напряжения питания микросхем
  • В чем отличие ddr3 и ddr3l

Статические и динамические ОЗУ

Существует два типа ОЗУ: статические и динамические.

Элементарной ячейкой статического ОЗУ является триггер.

Триггер состоит из двух транзисторных ключей, включенных навстречу друг другу так, что из состояния взаимно противоположны — когда открыт один ключ, второй закрыт и наоборот.

Без внешнего сигнала переключения ключи остаются в неизменном состоянии пока на триггер подается питание. Для реализации триггера необходимо как минимум два транзистора на кристалле.

Элементарной ячейкой динамического ОЗУ является конденсатор. Заряженный конденсатор хранит 1, разряженный — 0.

В качестве запоминающего конденсатора можно использовать собственную емкость затвора полевого транзистора, таким образом, появляется возможность реализовать ячейку памяти всего на одном транзисторе.

Более высокая плотность размещения ячеек памяти на кристалле и определила использование динамической памяти для построения ОЗУ большого объема.

Конденсатор постепенно теряет свой заряд, поэтому его необходимо поддерживать в заряженном состоянии, или< как говорят — регенерировать. Поэтому в динамической памяти, кроме обычных операций чтения и записи, появляется еще и операция регенерации.

Типы динамических ОЗУ

Первоначально и статические и динамические устройства были асинхронными, то есть не требовали для своей работы тактовой частоты.

Быстродействие было примерно одинаковым и единственным существенным различием была необходимость регенерации в динамических ОЗУ.

Со временем быстродействие транзисторных ключей росло, а быстродействие динамической памяти ограничивалось тем, что заряд и разряд запоминающего конденсатора требует определенного времени. Динамическая память стала отставать от статической.

Разработчикам динамической памяти пришлось пойти на усложнение своих микросхем. Микросхемы динамической памяти получили на кристалле довольно сложную обвязку и устройство управления, для работы которого необходима подача тактовой частоты. Динамические ОЗУ стали синхронными и получили название SDRAM — Synchronous Dynamic RAM.

За счет различных схемотехнических ухищрений эффективное быстродействие SDRAM стало превышать пропускную способность шины памяти и шина стала узким местом.

Обычно в синхронных устройствах передача информации происходит по определенному фронту синхроимпульса — переднему (нарастающему) или заднему (спадающему).

Появились микросхемы DDR SDRAM, у которых в отличие от обычных SDRAM передача информации по шине осуществляется как по обоим фронтам синхроимпульса. Это позволило увеличить пропускную способность шины памяти вдвое. DDR и означает Double Data Rate, или удвоенную скорость данных.

Технология DDR развивалась и появились новые поколения этих устройств, сначала DDR2, затем DDR3. Последним поколением на сегодняшний день является DDR4, но оно еще не получило широкого распространения и самым распространенным типом остается DDR3 .

Обзор оперативной памяти DDR3

DDR3 SDRAM означает синхронную динамическую память третьего поколения с удвоенной скоростью передачи по шине данных. Память выпускается в виде модулей — печатных плат прямоугольной формы, на одной из длинных сторон которых располагаются контактные площадки для соединения с разъемами материнской платы.

В зависимости от исполнения контактов модули разделяются на два типа — SIMM и DIMM. SIMM или Single In line Memory Module — означает модуль памяти с одним рядом контактов. DIMM — модуль с двумя рядами контактов. У обоих типов модулей контактные площадки расположены на двух сторонах платы, но в модулях SIMM противоположные контакты соединены.

Модули памяти DDR2 и DDR3 имеют по 240 контактов. На контактной стороне модулей имеется специальный вырез — ключ. На модулях DDR2 и DDR3 ключи располагаются по-разному, что исключает установку одного модуля вместо другого. Выпускаются модули уменьшенного габарита для ноутбуков, которые обозначаются SoDIMM, So в обозначении расшифровывается как Small Outline, то есть малый наоборот.

Характеристики DDR3

Основные характеристики любого типа памяти — объем и быстродействие. Объем выпускаемых в настоящее время модулей составляет от 1 до 16 ГБ для стандартных модулей и до 8 ГБ для SoDIMM.

Быстродействие синхронной памяти определяется тактовой частотой шины и задержками в цикле обращения к памяти, которые характеризуют быстродействие самих микросхем памяти и называются латентностями (от английского Latency — задержка) или таймингами. Разных задержек указывается несколько — иногда до пяти. Для выбора модуля DDR3 можно не обращать особого внимания на задержки.

В системах DDR данные буферизуются, используется конвейерный ввод-вывод, при этом значение задержек собственно микросхем компенсируется.

Кроме того, современные процессоры имеют на кристалле такие объемы быстродействующих статических ОЗУ в кеш-памяти второго и даже третьего уровня, что подкачка страниц между внутренним кешем и внешним ОЗУ происходит довольно редко.

Поэтому в современных компьютерах быстродействие оперативной памяти престало играть определяющую роль.

характеристика быстродействия памяти DDR3 — частота передачи по шине данных. Для DDR3 она может быть в диапазоне от 800 до 2400 МГц. Частота шины в два раза ниже, поскольку передача данных идет два раза за цикл по обоим фронтам тактового сигнала. За счет буферизации еще делится на 4, то есть сама память работает на частоте в 4 раза ниже частоты шины.

Быстродействие модулей измеряется в мегабайтах за секунду. Поскольку шина имеет ширину в 64 бита или 8 байт в секунду, значение скорости обмена данными для модуля DDR3 будет в 8 раз больше частоты передачи по шине.

Самый медленный модуль с частотой данных на шине 800 МГц будет иметь скорость 2400 МБ в секунду и иметь обозначение PC3−2400.

Самый, быстрый модуль с частотой данных 2400 МГц будет иметь скорость 19200 МБ в секунду и обозначение будет выглядеть как PC3−19200.

При выборе модуля, надо обязательно убедиться что тактовая частота шины модуля соответствует тактовой частоте процессорной шины вашего компьютера.

Снижение напряжения питания микросхем

Современные микросхемы изготавливаются по технологии КМОП. Транзисторный ключ в этой технологии состоит из двух полевых транзисторов, включенных по двухтактной схеме. В любом состоянии ключа один транзистор полностью открыт, другой — закрыт. В закрытом состоянии полевой транзистор практически не пропускает тока.

То есть, в стабильном состоянии КМОП ключ не потребляет ток от источника питания. Но у затворов полевых транзисторов есть емкость. И она имеет существенную величину. При переключении ключа происходит перезаряд затворных емкостей. А конденсатор, как известно, запасает энергию в виде электрического поля.

И эта энергия пропорциональна величинам емкости и напряжения.

Мощность определяет скорость изменения энергии и пропорциональна в нашем случае частоте переключения. Получается, что вся энергия источника питания расходуется на перезаряд затворных емкостей. И потребляемая мощность растет линейно с ростом тактовой частоты. Есть два пути понижения потерь мощности на перезаряд паразитных конденсаторов:

  • Уменьшить их емкость.
  • Уменьшить напряжение перезаряда — понизить напряжение питания.

С каждым новым шагом в совершенствовании технологического процесса изготовления интегральных микросхем линейные размеры транзисторов уменьшаются. Уменьшается и площадь паразитных конденсаторов, а соответственно и их емкость. Но и число транзисторов на кристалле тоже увеличивается.

Значит, надо добиться работы микросхем при как можно более низком напряжении питания. В результате с каждым новым поколением микросхем напряжение их питания уменьшается.

  • DDR — 2, 5 В.
  • DDR2 — 1, 8 В.
  • DDR3 — 1, 5 В.
  • DDR4 — 1, 2 В.

В чем отличие ddr3 и ddr3l

На рынке можно найти модули с микросхемами DDR3l и DDR3. Разница в том, что DDR3L — это модернизированная версия DDR3. L- означает Low или по-русски низкий, пониженный. Микросхемы DDR3l могут работать на пониженном напряжении 1,35 В. Но могут работать и при обычном для DDR3 напряжении 1,5 В. Лучше использовать соответствующие модули по своему прямому назначению.

DDR3L может устанавливаться вместо DDR3, а наоборот — нет. Если напряжения питания модулей памяти равно 1,35 в, то такая материнская плата предполагает использование только модулей DDR3L, и установка обычных модулей DDR3 невозможна.

Источник: https://komp.guru/tehnika/v-chem-raznitsa-v-tipah-operativnoj-pamyati-ddr3-i-ddr3l.html

DDR3 и DDR3L. Разница между типами оперативной памяти

Ddr3l и ddr3 — разница между типами оперативной памяти

Современный рынок компьютерных комплектующих развивается столь стремительно, что даже продвинутые пользователи не успевают понять, в чем различие той или иной технологии, как уже появляется новая. Точно такая же ситуация с модулями оперативной памяти.

Недавно еще все обсуждали преимущества “тройки” перед стандартной “двойкой”, как уже появилась и “четверка”, и улучшенная “тройка” с литерой L. Забраться в такие дебри IT-индустрии и не свернуть себе шею в хитросплетениях терминов и технологий может только очень подкованный в этой теме человек.

Но нужно разобраться, какая разница между DDR3 и DDR3L. Начнем с истоков.

Суть стандарта DDR3

В отличие от устаревшей “двойки” в третьей версии емкость микросхем увеличена. Теперь она составляет 8 бит. Это не могло не сказаться положительно на производительности. Также вырос минимальный объем модулей – теперь он составляет 1 гигабайт. Меньше просто невозможно.

Разница между DDR3 и DDR3L, которую мы рассмотрим чуть ниже, несущественна. Тут больше разницы между “двойкой” и “тройкой”. И она заметна невооруженным глазом.

Кстати, и энергопотребление снизилось, что сделало данный тип памяти более подходящим для мобильных компьютеров (ноутбуков).

“Тройка” – стандарт далеко не новый. Поэтому особо радоваться здесь нечему. DDR4 гораздо производительнее. Но, тем не менее, именно этот тип памяти наиболее распространен в наше время.

DDR3 и DDR3L, разница в которых не так уж существенна, – однотипные модули. Но разобраться в том, что их отличает, стоит хотя бы для самообразования.

Что ж, теперь рассмотрим характеристики “тройки” с литерой L.

По сути, в этой памяти все стандартно. Как в обычной “тройке”. Но есть одно существенное различие – энергопотребление. В 3L оно равно 1,35 В. Для сравнения, обычная “тройка” потребляет 1,50 В.

Это весьма существенно, если говорить о ноутбуках, нетбуках и ультрабуках, то есть о мобильных компьютерах. В их случае энергопотребление играет решающую роль, так как им нужно довольно продолжительное время работать от аккумулятора.

Этим и отличаются DDR3 и DDR3L. Разница не такая уж заметная, но существенная.

В последнее время производители мобильных компьютеров используют только энергоэффективные модули “тройки”. Поэтому стало возможно заставить ноутбуки работать от батареи дольше, чем это было раньше.

Хоть показатели не особо и отличаются. Оперативная память DDR3 и DDR3L, разница в которых тут рассматривается, на данный момент самые приемлемые варианты для персональных компьютеров и ноутбуков.

Теперь рассмотрим наиболее популярные модели.

Kingston 4GB DDR3 PC3-10600

Этот модуль прекрасно подходит для ноутбуков среднего ценового сегмента. Он работает на частоте 1333 мегагерц, рабочее напряжение составляет 1,35 В.

Это и DDR3, и DDR3L, разница между которыми не особо существенна, в одном флаконе. Объем данной оперативной памяти составляет 4 гигабайта, что вполне достаточно для работы и графических приложений.

Мультимедиа тоже будет работать отлично. Этот модуль выглядит идеальным по соотношению “цена-качество”.

Как обычно, Kingston радует пользователей быстрой и качественной оперативной памятью. Но не стоит забывать и о практичности. Дело в том, что эта оперативка стоит довольно прилично по сравнению с ее техническими характеристиками.

Поэтому ее покупка представляется сомнительной с точки зрения практичности. Нужно дважды подумать перед тем, как покупать сей модуль памяти. А в остальном – это отличная и долговечная оперативка, коих мало на современном рынке.

Samsung 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один модуль из самого среднего ценового сегмента. Эта оперативная память работает уже на частоте 1600 мегагерц и может даже использоваться для игр. Особенно производителен тандем из двух модулей такой памяти.

Имеются “планки” DDR3 и DDR3L, разница между которыми-таки есть. Как и вся техника этой компании, модули памяти отличаются высочайшим качеством и непревзойденной надежностью.

В настоящее время – это одни из лучших модулей на современном рынке компьютерных комплектующих.

Компания Samsung хорошо известна качественными смартфонами и другими устройствами. Но вот модули оперативной памяти ее специалисты могли бы сделать и получше. В них нет и тени легендарного корейского качества. Но работает память хорошо.

Хоть и не выглядит особо крепкой или надежной. Кстати, она очень болезненно переносит разгон. Вплоть до самых печальных последствий. Так что подвергать ее подобной процедуре не стоит. Итак, продолжим. DDR3L и DDR3.

Какая разница между ними?

Crucial 4GB DDR3 PC3-12800

Еще один бюджетный модуль оперативной памяти стандарта 3L. Его рабочая частота составляет 1600 мегагерц. Рабочее напряжение – 1,35 В. Это стандартно для энергоэффективной памяти. Более ничем выдающимся этот модуль памяти не отличается.

Вот только в двухканальном режиме он работает гораздо лучше своих предшественников. Два таких модуля способны заметно поднять производительность любого лэптопа. И в этом их главная заслуга. Стоит эта оперативная память недорого.

Поэтому она и является самой распространенной.

Это легендарный производитель модулей оперативной памяти. Все помнят его высокопроизводительные модели для геймерских компьютеров. Но и в бюджетном сегменте Crucial не ударили в грязь лицом. Модули получились производительными, надежными и энергоэффективными, что немаловажно для владельцев ноутбуков. Приятно, что легендарный производитель, наконец, развернулся лицом к любителям лэптопов.

Заключение

Итак, мы рассмотрели типы памяти DDR3 и DDR3L. Разница в них хоть и несущественная, но есть.

И если вы когда-нибудь захотите поменять в своем ноутбуке оперативную память, то обязательно приобретайте энергоэффективный тип.

Сегодня любой производитель компьютерных комплектующих производит такую оперативную память. Выше перечислены самые популярные и надежные модели. Но это ведь далеко не все.

Источник: https://FB.ru/article/332086/ddr-i-ddr-l-raznitsa-mejdu-tipami-operativnoy-pamyati

ddr3l чем отличается от ddr3: различия и сходства

Ddr3l и ddr3 — разница между типами оперативной памяти

Здравствуйте, мои дорогие читатели. Я регулярно общаюсь с разными категориями пользователей, и многие, из интересующихся темой апгрейда своего ПК, часто задают такой вопрос: ddr3l чем отличается от ddr3?. Я с радостью отвечу на него, тем более что здесь все просто.

Традиционно, окинем взглядом предысторию вопроса. В свое время появление динамической памяти DDR SDRAM совершило серьезный прорыв в производительности компьютеров. Но и сама по себе эта технология не стояла на месте, постоянно эволюционируя в DDR2, затем в DDR3 и, наконец, достигнув DDR4. Цифровой индекс в данном случае обозначает поколение, а реальные отличия между ними это:

  • Внешний вид, количество контактных разъемов их размеры и группировка (разделение «ключевым» пазом);
  • Размер данных переподкачки;
  • Минимально и максимально допустимый объем одной планки;
  • Тактовая частота;
  • Скорость передачи данных (пропускная способность);
  • Рабочее напряжение (вольтаж).

Что дает понижение напряжения?

Последний параметр особенно важен, поскольку он может повлиять на другие характеристики. Происходит это следующим образом:

  • Потребляемая электроэнергия преобразуется в тепловую;
  • Микросхемы нагреваются, что отрицательно сказывается на их работе;
  • Снижается частота, скорость, появляются глюки…

Вот у DDR1 энергопотребление было на уровне 2,5 В, у второго поколения — уже 1,8 Вольт. DDR3 имела рабочее напряжение 1,5 В, а DDR4 аж 1,2 Вольта. Вы посмотрите, какая ожесточенная борьба ведется за каждую десятую вольта. Снижение этой величины стало особенно актуальным с широким распространением компактных и мобильных устройств, требующих большой автономности при работе от аккумуляторов.

Усовершенствование памяти третьего поколения

Понятное дело, DDR4 по вольтажу и по всем показателям намного лучше, но она может использоваться только на определенных материнских платах с самыми современными процессорами. Поэтому наиболее востребованными на сегодняшний момент являются планки DDR3. И, представьте себе,  для них инженеры нашли возможность снизить напряжение питание аж на 0,15 V! Понимаете насколько это важно?

Собственно так и появилась память DDR3L, имеющая рабочее напряжение 1,35 вольт. Литера L в ее обозначении не что иное как «low» — «пониженное» на 10% электропитание. Так что не путайте ее с «единицей» и, если есть возможность, используйте написание большой буквы.

Собственно, это и вся разница между «Ди-Ди-Эр – Три-Эль» и «Ди-Ди-Эр – Три». Документально это отражается в маркировке: на первой указывается PC3L и 1,35V, а на другой – PC3 и 1,5V. Все остальное: размеры, разъемы, характеристики у них аналогичные.

Как вы поняли, снижение вольтажа дает определенные преимущества и имеет свои особенности. О них мы сейчас и поговорим:

  • DDR3L – это идеальное решение для ноутбуков. Такую память даже используют в мобильных телефонах. Ну и в ПК ликвидация еще одного источника нагрева – большое и важное дело.
  • Отпадает необходимость в установке пассивных радиаторов, которые производители вынуждены были устанавливать на самые производительные модули RAM памяти.
  • Снижение рабочей температуры чипов памяти – это гарантия их стабильной и быстрой работы. Разве не об этом мечтают все пользователи?

Ну и наконец, продвинутым юзерам DDR3L предоставляет большие возможности для разгона компьютера.

Но здесь следует быть особо аккуратными.

Особенности использования памяти с пониженным напряжением

Чувствую, многие из вас уже начали задумываться о замене DDR3 на DDR3L. Тогда обязательно дочитайте эту статью до конца, ведь сейчас мы поговорим о том, взаимозаменяемы ли они.

Ситуация здесь такая:

  • Обычно, совершенствуя стандартную конструкцию, разработчики планируют ее совместимость с устройствами, поддерживающими предыдущую версию. Так и с DDR3L: она может работать и с напряжением 1,35 В и с 1,5 В. В каком режиме это будет происходить – это уже другой вопрос. Во всяком случае, в BIOS можно вручную установить подаваемое на ОЗУ напряжение, изменить тайминги и частоту.
  • Вообще-то в спецификации материнских плат и процессоров указано, какие типы памяти предпочтительны для работы с ними. И этого следует придерживаться. Например, в процессоры Intel  Skylake и последующих поколений уже рассчитаны на DDR3L. Вы же можете, используя программу AIDA64, изучить свойства «Северного моста» (это в «Чипсете» «Системной платы») и посмотреть его совместимость с разными видами DDR.
  • Если вы обнаружите, что устройство предназначено для низковольтной памяти третьего поколения, то вставлять (пусть и в подходящий) разъем DDR3 не стоит. Работать он не будет. Ему просто не хватит напряжения.

И еще одно важное предостережение для желающих поставить вместе обычную и низковольтную память. Даже если они одинаковы по всем другим параметрам и производители чипов у них одинаковые, то делать этого не стоит. На разъемы ОЗУ подается одинаковое питание, а значит, одна из планок окажется «не у дел», а то и вовсе может сгореть.

Теперь, мои друзья, вы официально узнали ответ на вопрос: DDR3L чем отличается от DDR3 и знаете особенности их использования.

Мне остается попрощаться с вами и пожелать всем добра и счастья!

Источник: http://profi-user.ru/ddr3l-chem-otlichaetsya-ot-ddr3/

Разница между оперативной памятью DDR3 и DDR3L: сравнительный анализ

Ddr3l и ddr3 — разница между типами оперативной памяти

Оперативно запоминающее устройство (ОЗУ) – модуль временной памяти, который используется в компьютерной архитектуре для хранения определенного набора команд и информации. Оперативная память обеспечивает стабильную и надежную работу операционной системы и запущенных программ и приложений.

С развитием технологий оперативная память постоянно усовершенствовалась: увеличивались ее объем и производительность. Современный тип ОЗУ DDR3 является модернизированной версией своего «предка», который пришел на смену оперативной памяти типа DIMM в далеких 90-х годах.

Конструкция DDR

Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM.

Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду.

Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.

От характеристик оперативной памяти зависит производительность ПК

Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA.

Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ.

Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.

Внимание! Модули памяти типа DDR2 и DDR3 не совместимы и не взаимозаменяемы по механическим и электротехническим показателям. Защита от установки планки оперативной памяти в несоответствующий слот (разъем) реализована за счет расположения ключа в разных местах модуля.

Особенности оперативной памяти DDR3

Планки ОЗУ выпускаются от 1 ГБ до 16 ГБ, а частота памяти может находиться в диапазоне 100 – 300 МГц, а шины от 400 до 120 МГц. В зависимости от частоты шины оперативная память DDR3 обладает разной пропускной способностью:

  • DDR3-1600 – от 2400 до 2500 МБ/сек;
  • DDR3-1866 – от 2800 до 2900 МБ/сек;
  • DDR3-2133 – от 3200 до 3500 МБ/сек;
  • DDR3-2400 – от 3400 до 3750 МБ/сек.

Оптимальными значениями частоты шины оперативно запоминающего устройства являются 1066 – 1600 МГц. При увеличении частоты возрастает энергопотребление модуля памяти вплоть до 1,65 В при частоте шины 2400 МГц.

Подобное явление ведет за собой нагрев планок и обильное выделение тепловой энергии. Для устранения подобного недостатка высокопроизводительные платы ОЗУ оснащаются системой пассивного охлаждения, т. е.

радиаторами из алюминиевого сплава, которые устанавливаются двустороннюю липкую ленту-термоинтерфейс.

Также повышение энергопотребления может осуществляться при разгоне компьютера или выполнении определенных действий (операций). Это осуществляется внутренними преобразователями за счет использования в планках оперативной памяти DDR3 напряжения Vddr. Следует помнить, что это также ведет к излишнему выделению количества тепла.

Внимание! Выделение количества тепловой энергии выше установленного значения приводит к снижению общей производительности компьютера, появлению «зависания» и «тормозов» операционной системы и выполняемых программ.

Структура DDR3 насчитывает 8 банков памяти, а величина строки ее чипа составляет 2048 байт. Подобное строение, а также недостатки технологии SSTL, из-за которой возможны утечки токов появляются длинные тайминги в работе оперативно запоминающего устройства.

Это также приводит к относительно медленному переключению между чипами памяти.

Особенности оперативной памяти DDR3L

По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.

Экономия энергии DDR3L составляет 15% в сравнении с оперативной памятью DDR3

Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления.

Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в ноутбуки, сопоставимы со стандартными платами DDR3.

Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.

Внимание! В начале 2012 года на рынке появилась разновидность данной модификации оперативно-запоминающего устройства DDR3L-RS, она специально разработана под смартфоны.

Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В.

Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства.

То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.

Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.

Как выбрать оперативную память: видео

Источник: https://viborprost.ru/texnika/kompyuter/operativnaya-pamyat-ddr3-i-ddr3l.html

Совместимы ли ddr3l и ddr3 и их отличие

Ddr3l и ddr3 — разница между типами оперативной памяти

Компьютеры становятся быстрее с каждым годом, постоянно появляются новые поколения процессоров, видеокарт, оперативной памяти. Но есть в этой стремительной эволюции и недостаток: подчас непонятно, какие комплектующие между собой совместимы, а какие — нет.

Типичный пример — это два распространенных стандарта оперативной памяти DDR3 и DDR3l.
Форм-фактор у модулей памяти этих стандартов один, поэтому разница DDR3 и DDR3l на первый взгляд не заметна.

Механически они полностью совместимы, одинаковы по габаритам, положению ключа и количеству контактов. Различие только в напряжении питания, которое требуется для работы — 1,5 вольта для DDR3 и 1,35 вольта для DDR3L.

Вот и все различия между стандартами DDR3 и DDR3l.

Как различить и совместимость

Чтобы верно определить, к какому стандарту относится модуль, нужно знать чем отличается DDR3 от DDR3l. Разберемся в чем разница между DDR3 и DDR3l с точки зрения маркировки.

На модулях DDR3, как правило, присутствует маркировка PC3, тогда как на низковольтной памяти ставится PC3L. Кроме того, в некоторых случаях указывается и напряжение питания, 1,5v для ддр3 и 1,35v для ддр3л соответственно.

Из-за одинакового форм-фактора и расположения ключа, можно вставить модуль DDR3 в разъем на материнской плате, рассчитанной на DDR3L, или наоборот. К чему может привести подобная невнимательность?

Ставить вместе память ddr3l и ddr3 крайне не рекомендуется. Если системная плата рассчитана на установку низковольтной оперативки, то обычный модуль может просто не заработать или работать со сбоями.

Если модуль памяти рассчитан на напряжение в 1,5 вольта, а получает только 1,35 вольта, то, весьма вероятно, он будет вести себя нестабильно, становясь причиной регулярных зависаний и внезапных перезагрузок системы.

Впрочем, вполне возможна ситуация, когда планка ОЗУ будет нормально работать. Особенно если немного повысить тайминги и снизить частоту, тогда шанс на бесперебойную работу увеличится, пусть и ценой некоторого снижения быстродействия.

Но стоит ли рисковать?

Казалось бы, достаточно поднять напряжение, ведь многие материнские платы позволяют это. Да, тогда получится ситуация вполне типичная для разгона, когда для нормальной работы приходится повышать напряжение.

Стоит отметить, что процессоры intel, начиная с поколения Skylake, рассчитаны только на работу с низковольтной DDR3l памятью. По утверждению представителей компании, в долгосрочной перспективе работа процессоров 6 и более поздних поколений архитектуры Core с памятью рассчитанной на напряжение 1,5 вольт, может навредить CPU.

Получается, что заставить работать модуль DDR3 с системной платой и процессором, рассчитанными на DDR3l, во многих случаях можно. Но, в результате всех предпринятых усилий легко получить нестабильно работающий компьютер. Память DDR3 сложно считать универсальным решением для любой конфигурации, чем она также отличается от DDR3l.

Если вы хотите установить дополнительную ОЗУ в ноутбук, то очень внимательно отнеситесь к ее выбору. Во многих ноутбуках установлена память SO-DIMM DDR3L с пониженным энергопотреблением, так как это увеличивает его время работы от батареи.

Лучшим способом приобрести нужную память, это открыть свой ноутбук, достать модуль памяти и списать его характеристики или взять его в магазин. Так же можно воспользоваться ПО для просмотра аппаратной начинки компа (типа CPU-Z) и зайти во вкладку SPD.

Второй вариант — использование модуля, рассчитанного на низкое напряжение, в старой материнской плате, поддерживающей DDR3. Исходя из требований JESD79‐3‐1A.01, документа, в котором регламентирован стандарт DDR3L, любой модуль должен быть обратно совместим со обычным DDR3.

То есть, разница между ДДР3 и ДДР3л в том, что низковольтная память может работать в любой плате, а ОЗУ со стандартным напряжением только в платах рассчитанных на него.

Выводы

В случае с DDR3 памятью и материнской платой поддерживающей низковольтную память, теоретически, можно заставить работать любую память в любой материнской плате, если немного поэкспериментировать с напряжением, частотами и таймингами.

Но, лучше использовать именно ту память которая рекомендована для материнской платы и процессора. Так можно сэкономить немало времени и нервов и заниматься за компьютером тем, чем планировалось. А сборку и тестирование нестандартных конфигураций лучше оставить энтузиастам-оверклокерам.

Модули DDR3l можно использовать в системных платах рассчитанных на любые типы DDR3.

Источник: https://ramozy.ru/tipy-pamyati/ddr3l-i-ddr3

Как выбрать оперативную память? | Блог | Клуб DNS

Ddr3l и ddr3 — разница между типами оперативной памяти

История оперативной памяти, или ОЗУ, началась в далёком 1834 году, когда Чарльз Беббидж разработал «аналитическую машину» – по сути, прообраз компьютера. Часть этой машины, которая отвечала за хранение промежуточных данных, он назвал «складом». Запоминание информации там было организовано ещё чисто механическим способом, посредством валов и шестерней.

В первых поколениях ЭВМ в качестве ОЗУ использовались электронно-лучевые трубки, магнитные барабаны, позже появились магнитные сердечники, и уже после них, в третьем поколении ЭВМ появилась память на микросхемах.

Сейчас ОЗУ выполняется по технологии DRAM в форм-факторах DIMM и SO-DIMM, это динамическая память, организованная в виде интегральных схем полупроводников. Она энергозависима, то есть данные исчезают при отсутствии питания.

Выбор оперативной памяти не является сложной задачей на сегодняшний день, главное здесь разобраться в типах памяти, её назначении и основных характеристиках.

SO-DIMM

Память форм-фактора SO-DIMM предназначена для использования в ноутбуках, компактных ITX-системах, моноблоках – словом там, где важен минимальный физический размер модулей памяти.

Отличается от форм-фактора DIMM уменьшенной примерно в 2 раза длиной модуля, и меньшим количеством контактов на плате (204 и 360 контактов у SO-DIMM DDR3 и DDR4 против 240 и 288 на платах тех же типов DIMM-памяти).

По остальным характеристикам – частоте, таймингам, объёму, модули SO-DIMM могут быть любыми, и ничем принципиальным от DIMM не отличаются. 

DIMM

DIMM – оперативная память для полноразмерных компьютеров.

Тип памяти, который вы выберете, в первую очередь должен быть совместим с разъёмом на материнской плате. ОЗУ для компьютера делится на 4 типа – DDR, DDR2, DDR3 и DDR4.

Память типа DDR появилась в 2001 году, и имела 184 контакта. Напряжение питания составляло от 2.2 до 2.4 В.  Частота работы – 400МГц. До сих пор встречается в продаже, правда, выбор невелик. На сегодняшний день формат устарел, – подойдёт, только если вы не хотите обновлять систему полностью, а в старой материнской плате разъёмы только под DDR.

Стандарт DDR2 вышел уже в 2003-ем, получил 240 контактов, которые увеличили число потоков, прилично ускорив шину передачи данных процессору. Частота работы DDR2 могла составлять до 800 МГц (в отдельных случаях – до 1066 МГц), а напряжение питания от 1.8 до 2.1 В – чуть меньше, чем у DDR. Следовательно, понизились энергопотребление и тепловыделение памяти.

Отличия DDR2 от DDR:

·         240 контактов против 120 ·         Новый слот, несовместимый с DDR ·         Меньшее энергопотребление ·         Улучшенная конструкция, лучшее охлаждение ·         Выше максимальная рабочая частота Также, как и DDR, устаревший тип памяти – сейчас подойдёт разве что под старые материнские платы, в остальных случаях покупать нет смысла, так как новые DDR3 и DDR4 быстрее.

В 2007 году ОЗУ обновились типом DDR3, который до сих пор массово распространён. Остались всё те же 240 контактов, но слот подключения для DDR3 стал другим – совместимости с DDR2 нет.  Частота работы модулей в среднем от 1333 до 1866 МГц. Встречаются также модули с частотой вплоть до 2800 МГц.

DDR3 отличается от DDR2:

·         Слоты DDR2 и DDR3 несовместимы.

·         Тактовая частота работы DDR3 выше в 2 раза – 1600 МГц против 800 МГц у DDR2.

·         Отличается сниженным напряжением питания – порядка 1.5В, и меньшим энергопотреблением (в версии DDR3L это значение в среднем ещё ниже, около 1.35 В). ·        Задержки (тайминги) DDR3 больше, чем у DDR2, но рабочая частота выше. В целом скорость работы DDR3 на 20-30% выше.

DDR3 – на сегодня хороший выбор. Во многих материнских платах в продаже разъёмы под память именно DDR3, и в связи с массовой популярностью этого типа, вряд ли он скоро исчезнет. Также он немного дешевле DDR4. 

DDR4 – новый тип ОЗУ, разработанный только в 2012 году. Является эволюционным развитием предыдущих типов. Пропускная способность памяти снова повысилась, теперь достигая 25,6 Гб/с.

Частота работы также поднялась – в среднем от 2133 МГц до 3600 МГц.

Если же сравнивать новый тип с DDR3, который продержался на рынке целых 8 лет и получил массовое распространение, то прирост производительности незначителен, к тому же далеко не все материнские платы и процессоры поддерживают новый тип.

Отличия DDR4:

·         Несовместимость с предыдущими типами ·         Пониженно напряжение питания – от 1.2 до 1.05 В, энергопотребление тоже снизилось ·      Рабочая частота памяти до 3200 МГц (может достигать 4166 МГц в некоторых планках), при этом, конечно, выросшие пропорционально тайминги ·         Может незначительно превосходить по скорости работы DDR3

Если у вас уже стоят планки DDR3, то торопиться менять их на DDR4 нет никакого смысла. Когда этот формат распространится массово, и все материнские платы уже будут поддерживать DDR4, переход на новый тип произойдёт сам собой с обновлением всей системы. Таким образом, можно подытожить, что DDR4 – скорее маркетинг, чем реально новый тип ОЗУ.

Какую частоту памяти выбрать?

Выбор частоты нужно начинать с проверки максимально поддерживаемых частот вашим процессором и материнской платой. Частоту выше поддерживаемой процессором имеет смысл брать только при разгоне процессора.

На сегодняшний день не стоит выбирать память с частотой ниже 1600 МГц. Вариант 1333 МГц допустим в случае DDR3, если это не завалявшиеся у продавца древние модули, которые явно будут медленнее новых.  

Оптимальный вариант на сегодня – это память с интервалом частот от 1600 до 2400 МГц. Частота выше почти не имеет преимущества, но стоит гораздо дороже, и как правило является разогнанными модулями с поднятыми таймингами.

Для примера, разница между модулями в 1600 и 2133 Мгц в ряде рабочих программ будет не более 5-8 %, в играх разница может быть ещё меньше.

 Частоты в 2133-2400 Мгц стоит брать, если вы занимаетесь кодированием видео/аудио, рендерингом.

Разница же между частотами в 2400 и 3600 Мгц обойдётся вам довольно дорого, при этом не прибавив ощутимо скорости. 

Какой объём оперативной памяти брать?

Объём, который вам понадобится, зависит от типа работы, производимой на компьютере, от установленной операционной системы, от используемых программ. Также не стоит упускать из виду максимально поддерживаемый объём памяти вашей материнской платой.

Объём 2 ГБ – на сегодняшний день, может хватить разве что только для просмотра интернета. Больше половину будет съедать операционная система, оставшегося хватит на неторопливую работу нетребовательных программ.

Объём 4 ГБ – подойдёт для компьютера средней руки, для домашнего пк-медиацентра. Хватит, чтобы смотреть фильмы, и даже поиграть в нетребовательные игры. Современные – увы, с потянет с трудом. (Станет лучшим выбором, если у вас 32-разрядная операционная система Windows, которая видит не больше 3 ГБ оперативной памяти)

Объём 8 ГБ (или комплект 2х4ГБ) – рекомендуемый объём на сегодня для полноценного ПК. Этого хватит для почти любых игр, для работы с любым требовательным к ресурсам софтом. Лучший выбор для универсального компьютера.

Объём 16 ГБ (или наборы 2х8ГБ, 4х4ГБ)-  будет оправданным, если вы работаете с графикой, тяжёлыми средами программирования, или постоянно рендерите видео.

Также отлично подойдёт для ведения онлайн-стримов – здесь с 8 ГБ могут быть подвисания, особенно при высоком качестве видео-трансляции.

Некоторые игры в высоких разрешениях и с HD-текстурами могут лучше себя вести с 16 ГБ оперативной памяти на борту.

Объём 32 ГБ (набор 2х16ГБ, или 4х8ГБ)– пока очень спорный выбор, пригодится для каких-то совсем экстремальных рабочих задач. Лучше будет потратить деньги на другие комплектующие компьютера, это сильнее отразится на его быстродействии.

Режимы работы: лучше 1 планка памяти или 2?

ОЗУ может работать в одно-канальном, двух-, трёх- и  четырёх-канальном режимах. Однозначно, если на вашей материнской плате есть достаточное количество слотов, то лучше взять вместо одной планки памяти несколько одинаковых меньшего объёма. Скорость доступа к ним вырастет от 2 до 4 раз.

Чтобы память работала в двухканальном режиме, нужно устанавливать планки в слоты одного цвета на материнской плате. Как правило, цвет повторяется через разъём. Важно при этом, чтобы частота памяти в двух планках была одинаковой.

Single chanell Mode – одноканальный режим работы. Включается, когда установлена одна планка памяти, или разные модули, работающие на разной частоте. В итоге память работает на частоте самой медленной планки.

Dual Mode – двухканальный режим. Работает только с модулями памяти одинаковой частоты, увеличивает скорость работы в 2 раза. Производители выпускают специально для этого комплекты модулей памяти, в которых может быть 2 или 4 одинаковых планки.

Triple Mode – работает по тому же принципу, что и двух-канальный. На практике не всегда быстрее.

Quad Mode – четырёх-канальный режим, который работает по принципу двухканального, соответственно увеличивая скорость работы в 4 раза. Используется, там где нужна исключительно высокая скорость – например, в серверах. 

Flex Mode – более гибкий вариант двухканального режима работы, когда планки разного объёма, а одинаковая только частота. При этом в двухканальном режиме будут использоваться одинаковые объёмы модулей, а оставшийся объём будет функционировать в одноканальном.

Нужен ли памяти радиатор?

Сейчас уже давно не те времена, когда при напряжении в 2 В достигалась частота работы в 1600 МГц, и в результате выделялось много тепла, которое надо было как-то отводить. Тогда радиатор мог быть критерием выживаемости разогнанного модуля.

В настоящее время же энергопотребление памяти сильно снизилось, и радиатор на модуле может быть оправдан с технической точки зрения, только если вы увлекаетесь оверклокингом, и модуль будет работать у вас на запредельных для него частотах. Во всех остальных случаях радиаторы можно оправдать, разве что, красивым дизайном.

В случае, если радиатор массивный, и заметно увеличивает высоту планки памяти – это уже существенный минус, поскольку он может помешать вам поставить в систему процессорный суперкулер. Существуют, кстати, специальные низкопрофильные модули памяти, предназначенные для установки в компактные корпуса. Они несколько дороже модулей обычного размера.

Что такое тайминги?

Тайминги, или латентность (latency) – одна из самых важных характеристик оперативной памяти, определяющих её быстродействие. Обрисуем общий смысл этого параметра.

Упрощённо оперативную память можно представить, как двумерную таблицу, в которой каждая ячейка несёт информацию.

Доступ к ячейкам происходит по указанию номера столбца и строки, и указание это происходит при помощи стробирующего импульса доступа к строке RAS (Row Access Strobe) и стробирующего импульса доступа к столбцу CAS (Acess Strobe) путём изменения напряжения.

Таким образом, за каждый такт работы происходят обращения RAS и CAS, и между этими обращениями и командами записи/чтения существуют определённые задержки, которые и называются таймингами.

В описании модуля оперативной памяти можно увидеть пять таймингов, которые для удобства записываются последовательностью цифр через дефис, например 8-9-9-20-27.

·         tRCD (time of RAS to CAS Delay) – тайминг, который определяет задержку от импульса RAS до CAS

·         CL (timе of CAS Latency) – тайминг, определяющий задержку между командой о записи/чтении и импульсом CAS

·         tRP (timе of Row Precharge) – тайминг, определяющий задержку при переходах от одной строки к следующей

·      tRAS (time of Active to Precharge Delay) – тайминг, который определяет задержку между активацией строки и окончанием работы с ней; считается основным значением

·       Command rate – определяет задержку между командой выбора отдельного чипа на модуле до команды активации строки; этот тайминг указывают не всегда.

Источник: https://club.dns-shop.ru/post/15139

Поделиться:
Нет комментариев

    Добавить комментарий

    Ваш e-mail не будет опубликован. Все поля обязательны для заполнения.